ტრანზისტორი კოლექტორის უკუკავშირის მიკერძოება

ნახატზე, ბაზის რეზისტორი RB დაკავშირებულია კოლექტორთან და არა VCC-სთან, როგორც ეს იყო ადრე განხილული ბაზის მიკერძოების მოწყობაში. კოლექტორის ძაბვა უზრუნველყოფს მიკერძოებას ბაზა-ემისტერის შეერთებისათვის. ნეგატიური გამოხმაურება ქმნის „გამოსწორების“ ეფექტს, რომელიც ცდილობს Q წერტილის სტაბილურობას. თუ IC ცდილობს გაზარდოს, ის იკლებს მეტ ძაბვას RC-ზე, რითაც იწვევს VC შემცირებას. როდესაც VC მცირდება, მცირდება ძაბვა RB-ზე, რაც ამცირებს IB. IB-ის შემცირება წარმოქმნის ნაკლებ IC-ს, რაც, თავის მხრივ, ამცირებს ძაბვას RC-ზე და ამით ანაზღაურებს VC-ის შემცირებას. კოლექტორის უკუკავშირის მიკერძოების წრედის ანალიზი ოჰმის კანონით, საბაზისო დენი შეიძლება გამოიხატოს როგორც Q- წერტილის სტაბილურობა ტემპერატურაზე ზემოთ განტოლება გვიჩვენებს, რომ კოლექტორის დენი გარკვეულწილად არის დამოკიდებული βDC-ზე და VBE-ზე. რა თქმა უნდა, ეს დამოკიდებულების შემცირება შესაძლებელია RC >> RB/βDC და VCC >> VBE-ს მიღებით. კოლექციონერის უკუკავშირის მიკერძოების მნიშვნელოვანი მახასიათებელია ის, რომ ის არსებითად გამორიცხავს βDC და VBE დამოკიდებულებას მაშინაც კი, თუ მითითებული პირობები დაკმაყოფილებულია. როგორც გაიგეთ, βDC იცვლება პირდაპირ ტემპერატურასთან, ხოლო VBE იცვლება ტემპერატურის მიხედვით. როდესაც ტემპერატურა მატულობს კოლექტორ-უკუკავშირის წრეში, βDC იზრდება და VBE მცირდება. ΒDC– ის ზრდა მოქმედებს IC– ს გაზრდაზე. VBE-ის შემცირება მოქმედებს IB-ის გაზრდაზე, რაც, თავის მხრივ, ასევე მოქმედებს IC-ის გაზრდაზე. როგორც IC ცდილობს გაზარდოს, ძაბვის ვარდნა RC-ზე ასევე ცდილობს გაიზარდოს. ეს ამცირებს კოლექტორის ძაბვას და, შესაბამისად, ძაბვას RB-ზე, რითაც ამცირებს IB და ანაზღაურებს IC-ის მცდელობის გაზრდას და VC-ის შემცირების მცდელობას. შედეგი არის ის, რომ კოლექტორ-უკუკავშირის წრე ინარჩუნებს შედარებით სტაბილურ Q წერტილს. საპირისპირო მოქმედება ხდება მაშინ, როდესაც ტემპერატურა იკლებს. გაუზიარე მეგობრებს Facebook Twitter LinkedIn Pinterest ელ.წერილი WhatsApp

დატოვე შეტყობინება 

შეტყობინება სია